成大研發高導電耐磨高熵材料 可應用到半導體等產業

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成功大學團隊成功研發高導電且耐磨的高熵材料,將可延伸應用到半導體等相關產業,帶來突破性革命。(成功大學提供)中央社記者張榮祥台南傳真  113年7月4日
成功大學團隊成功研發高導電且耐磨的高熵材料,將可延伸應用到半導體等相關產業,帶來突破性革命。(成功大學提供)中央社記者張榮祥台南傳真 113年7月4日

(中央社記者張榮祥台南4日電)成功大學今天宣布成功研發高導電且耐磨的高熵材料,將可延伸應用到半導體、連接器、通訊、被動元件等相關產業,帶來突破性革命。

成功大學今天發布新聞稿指出,成大電機系教授施權峰組成跨領域高熵團隊,結合成大材料系教授劉浩志、許文東,以及台灣師範大學光電所教授楊承山與成大博士生葉政賢等人,運用鍍膜、計算材料科學、太赫茲(兆赫)光電子學、原子級表面技術,成功研發全新高熵材料,兼具導電又耐磨特性;這項成果已刊登在國際頂尖期刊Nature communications,引起關注。

成大表示,高熵材料由多個主要元素在接近等莫耳下組合而成,是近年材料科學最熱門領域,元素多樣化組合突破傳統限制,讓週期表產生新生命,也開啟材料應用創新選擇。

團隊研究從光學、力學、電學與計算材料科學的學理出發,提出高熵材料可透過元素線性組合設計電導,並證明電子傳輸行為與電子有效質量、電漿頻率與鬆弛時間有關聯,這是高熵材料領域重要發現,在此基礎上,未來高熵材料設計將更寬廣。

施權峰說,這項研究是跨領域合作成果,在高熵合金導電機制學理上有重要貢獻,將可延伸應用到半導體、連接器、通訊、被動元件等相關產業,帶來突破性革命。

許文東指出,高熵合金過往研究著重在機械性質,但對光學性質及電性質研究可拓展應用在半導體領域,令人興奮,透過模擬計算,開發高熵合金光學性質及電性質預測模型,加速在光電半導體應用上,有助推向產業化。

劉浩志表示,高熵材料研究已由學理探討進入產業應用階段,此次將高導電低磨耗高熵材料應用在掃描探針量測技術,確切展現高熵材料優勢,也開啟更多產業關鍵技術提升可能。

楊承山說,高熵材料全新電子傳輸與光學特性將決定應用場域,如何從基礎物理出發,發展出適合量測手段及描繪出機制,將有助提升未來光電半導體元件效能及設計理念。(編輯:陳仁華)1130704


標題:成大研發高導電耐磨高熵材料 可應用到半導體等產業

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